探测器与采集模块 / PD-5100

512 像素 InGaAs 近红外线列探测器

集成一级热电制冷与读出电路的 512 像素 InGaAs 近红外线列探测器。

咨询配置 ↗

产品概览 / PD-5100

产品概览

PD-5100由512像素InGaAs PIN线列阵列、读出电路和一级热电制冷器组成,采用陶瓷封装与蓝宝石窗口。像元为25 × 250 μm,面向约0.95–1.70 μm近红外光谱探测,提供八档增益及IWR、ITR两种读出方式。集成时需另配驱动、数据采集、制冷控制和热端散热。

配置要点

  • 512 × 1 有效像素 InGaAs 阵列,适合近红外分光探测。
  • 25 μm 像元间距,感光区域约 12.8 × 0.25 mm。
  • 一级热电制冷,支持按工作点控制温度。
  • 八档增益与 IWR/ITR 读出方式可选。
  • 陶瓷封装与蓝宝石窗口,适合仪器内部集成。
应用方向

近红外光谱仪探测单元;材料近红外透射和反射检测系统;高速线列读出与定制光电设备。

参数 / PD-5100

产品参数

参数规格
有效像素512 × 1;两端各有 2 个冗余元
感光材料InGaAs P-I-N
响应波段约 0.95 ±0.05 至 1.70 ±0.05 μm
像元尺寸与间距25 × 250 μm;中心距 25 μm
感光面约 12.8 × 0.25 mm
量子效率≥65%(资料标称)
峰值灵敏度≥0.8 A/W(资料标称)
读出方式IWR 或 ITR 可选
读出速率≥10 MHz
最高帧频>20,000 帧/秒(资料标称)
增益档位8 档
制冷与封装一级 TEC;陶瓷封装,蓝宝石窗口
外形尺寸28 × 15 × 6.2 mm
工作温度−10 至 +60 ℃

技术说明 / PD-5100

技术说明

IWR 与 ITR 对应不同的积分和读出时序,系统需要按选定模式配置驱动与数据采集。标称高速读出能力不代表任意积分时间或所有增益下的有效帧率。热电制冷器需配套温度控制及热端散热;参数表中低功耗指标的条件为制冷关闭,应另行核算制冷功率。

功耗 <0.1 W 的条件为 25 ℃、未开启热电制冷且时钟 1 MHz;制冷功耗需按工作点另行核定。

一起确认适合的配置。

告诉我们样品、测量目标与使用环境。

联系 ↗